LOW VF沟槽式肖特基芯片:


沟槽工艺与立体工艺的区别


立体肖特基二极管具有优秀的高频特征和较低的正向开启电压,这些共同的性子使得其在太阳能电池,开关电源、汽车以及手机等多个范畴都有着宏大的使用潜力。但,在反向偏压下,镜像力招致的势垒低落效应,招致了立体肖特基二极管阻断才能差的缺陷。TMBS布局的呈现很好地办理这个题目,其次要有两个肖特基结相联合的双势垒金属肖特基结二极管器件、使用PN结与肖特基结联合的含PN布局的肖特基二极管,以及使用金属-氧化物-半导体布局和肖特基结联合的沟槽式势垒肖特基二极管(TMBS),而且TMBS由于优秀的高频特征及布局参数的易调性,遭到了更为普遍的存眷。


沟槽芯片


上风 具有较低的静态内阻、VF与IR的易调性可以满意种种差别方案的利用需求。